Упаковка
Bulk or Tube
Tube
Статус
Last Time Buy
Активный
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Half-Bridge
Тип канала
Independent
Independent
Тип ворот
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10V ~ 20V
12V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.8V, 2.9V
6V, 9.5V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
200mA, 350mA
2A, 2.5A
Тип входа
Non-Inverting
Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
600 V
1200 V
Время подъема / падения (тип.)
150ns, 50ns
25ns, 17ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Through Hole
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
14-DIP
