Статус
Discontinued
Устаревший
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Half-Bridge
Тип канала
Independent
Independent
Тип ворот
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.8V, 2.3V
0.8V, 2.7V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
60mA, 130mA
1.9A, 2.3A
Тип входа
Non-Inverting
Inverting, Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
600 V
600 V
Время подъема / падения (тип.)
200ns, 100ns
40ns, 20ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Through Hole
Корпус
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус устройств поставщика
8-PDIP
8-PDIP
