IR2011STR
IR2011STR
Устаревший
Описание:  IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Изготовитель:  Infineon Technologies
даташит:   IR2011STR даташит
Цена: Obsolete
В наличии: 29840
IR2011STR vs IR25602SPBF
Номер детали
Изготовитель
Серия
-
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Tube
Статус
Устаревший
Устаревший
Управляемая конфигурация
High-Side or Low-Side
Half-Bridge
Тип канала
Independent
Synchronous
Количество драйверов
2
2
Тип ворот
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
0.8V, 3V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
1A, 1A
210mA, 360mA
Тип входа
Inverting
Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
200 V
600 V
Время подъема / падения (тип.)
35ns, 20ns
100ns, 50ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
8-SOIC