Упаковка
Tube
Bulk or Tube
Статус
Активный
Устаревший
Управляемая конфигурация
High-Side or Low-Side
Low-Side
Тип канала
Independent
Independent
Тип ворот
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10V ~ 20V
6V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
0.8V, 2.7V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
1A, 1A
2.3A, 3.3A
Тип входа
Inverting
Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
200 V
-
Время подъема / падения (тип.)
35ns, 20ns
15ns, 10ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Surface Mount
Корпус
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-PDIP
8-SOIC
