☰
APTGT50DA170T1G
APTGT50DA170T1G
Устаревший
Описание:  IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
Изготовитель:  Microsemi Corporation
Цена: Obsolete
В наличии: 37680
APTGT50DA170T1G vs APTGT75DA170T1G
Номер детали
Изготовитель
Серия
-
-
Упаковка
Bulk
Bulk
Статус
Устаревший
Устаревший
Тип IGBT
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Конфигурация
Single
Single
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
1700 V
1700 V
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
75 A
130 A
Мощность - макс.
312 W
465 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 50A
2.4V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (Макс)
250 μA
250 μA
Входная емкость (Cies) @ Vce
4.4 nF @ 25 V
6.8 nF @ 25 V
Ввод
Standard
Standard
Термистор NTC
Yes
Yes
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Chassis Mount
Корпус
SP1
SP1
Корпус устройств поставщика
SP1
SP1