Технические параметры
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
4.5V ~ 13.2V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.7V, 3.2V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
-
Тип входа
Inverting, Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
15 V
Время подъема / падения (тип.)
25ns, 12ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус устройств поставщика
8-SOP-EP