Технические параметры
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
9V ~ 14V
Логическое напряжение - VIL, VIH
3.7V, 7.4V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
114 V
Время подъема / падения (тип.)
10ns, 10ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
