Технические параметры
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.8V, 2.7V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
1.9A, 2.3A
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
600 V
Время подъема / падения (тип.)
40ns, 20ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
