Технические параметры
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
11.5V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.8V, 3V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
200mA, 350mA
Тип входа
Inverting, Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
600 V
Время подъема / падения (тип.)
125ns, 50ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Корпус устройств поставщика
28-SOIC
