Технические параметры
Управляемая конфигурация
Low-Side
Тип ворот
N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
4.5V ~ 15V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
-
Время подъема / падения (тип.)
7.5ns, 10ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
