Технические параметры
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
1700 V
Ток - средний ректификованный (Io)
82A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.8 V @ 30 A
Скорость
No Recovery Time >500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
0 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
200 μA @ 1700 V
Емкость @ Vr, F
2070pF @ 1V, 1MHz
Корпус устройств поставщика
TO-247
Рабочая температура - переход
-55 ℃ ~ 175 ℃
